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　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
瑞昱芯片排行　　汽车产业正趋向使用更高电压的电压轨为车辆子系统供电，电池电压也从 12V 和 24V 提升到 48V。为了应对这种发展，AL1783Q 设计为可在 55V 电压轨下运作，因此本产品比其他通常只能在 40V 电压下运作的 LED 驱动器更具优势。此功能也使 AL1783Q 产品可支持不断提升的 LED 链电压。
　　每个固定输出电压都可以通过外部反馈分压器在初始设定点以上调整。这使 GM12071 可提供 1.2V 至 VIN VDO 的输出电压且具有高 PSRR 和低噪声。
　　GM12071 提供 6 引脚 DFN 和 8 引脚 SOP 封装。仅有DFN 封装支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
　　GM12071可替代ADI的ADP7104、ADP7102等系列产品。

　　这个灵活的无线MCU系列既可用作物联网设备的主处理器，也可用作更复杂设计中的子系统，为物联网应用提供无线连接功能。该系列目前有三个版本：用于三频的CYW55913（2.4/5/6 GHz）、用于双频的CYW55912（2.4/5 GHz）和用于单频的CYW55911（2.4GHz）。
　　在当前的科技浪潮中，越来越多的AI（人工智能）的应用运算正发生在Edge（边缘）端。企业需要适合Edge端环境的硬设备，以满足实时数据处理和分析的需求，企业需要在厂内进行机密信息的运算，确保数据不会外流，这些设备必须能够应对不同于数据中心的挑战。
瑞昱芯片排行8 PAM4 的成功为美光在 GDDR7 产品组合中继续以 PAM3 保持领先地位奠定了基础。同时，工程技术的进步，如成功测量业界 40 Gb/s PAM3 的性能，则为未来 GDDR7 产品实现更高性能铺平了道路。
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
紧凑的外形对于用户需要在小体积内拥有大量通道的高通道密度应用很有价值。用户可以通过集成的网口操作仪器，也可以完全通过编程操作仪器，将仪器用作高速数字转换器。

整体电光效率达到83.2％的全新OSCONIQ P3737深红光LED，对比整体效率为74％的LED产品节省11％的电力。在相同光子通量下，每花费100欧元可节省11欧元。对于一座年电费超过100,000欧元的中型温室，使用我们的LED照明技术，每年可为蔬菜、花卉等作物种植户节省超11,000欧元*。
瑞昱芯片排行　　产品的线缆连接方式采用IDC刺破连接，用户可在工业现场快速接入排线、散线，使用便捷。排线安装时，锁紧扣还可提供清晰的扣合反馈，确保装配可靠。
　　NVMe NANDrive PX系列采用工业级3D TLC（每单元3bit）NAND，支持5千擦写次数（P/E）的高耐久性（可达6,700 TBW），是要求高可靠而成本又不高的应用的选择。该产品系列目前有64 GB、128 GB、256 GB和512 GB多种容量供客户选择。
　　具备高感光性能、低噪声、低功耗三大特点的SC038HGS图像传感器可大幅提升视觉信息的准确性和清晰度，实现在低照度环境下的高质量图像捕捉，从而提供更真实、更清晰的虚拟体验。