罗姆芯片

此次推出的思特威手机应用1600万像素图像传感器升级新品SC1620CS，基于先进的SmartClarity-3技术打造，搭载思特威独特的SFCPixel-SL等技术和工艺，集优异的高感度、高动态范围、低噪声等性能优势于一身，为智能手机提供真实、清晰的优质影像，满足日常光线场景和暗光场景下的手机影像拍摄需求。
罗姆芯片目前，行业内广泛使用的激光测距系统（LDS）虽高效，但机械旋转部件的高速运动容易出现故障，且LDS模组和避障模组组合体积太大，占用有限的空间，使得终端产品体型笨重，无法清洁到位，这是扫地机器人常见的技术弱点。此外，多路径干扰（MPI）、杂散光和动态范围的处理也同样是行业中普遍面临的挑战。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。
美光科技股份有限公司宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上，美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍，并称，9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台，针对AI工作负载进行了优化，特别考虑了采用大型加速器内存（BaM）进行图神经网络（GNN）训练。
罗姆芯片　　半导体制冷模块是一种能量转换装置,半导体晶体夹在铜基板之间,通电后,基板的一面吸热(冷却),另一面放热(加热)。这种装置能够使表面温度迅速变冷或变热,调节到特定温度或保持在设定的目标温度。
　　该系列的新配件包括多种型号，以满足不同用户的需求。其中，HatDrive Dual是一款为树莓派 5设计的双驱动NVMe设备，可以支持一对2230或2242尺寸的NVMe驱动器，为用户提供大量的存储空间。这款设备在设计和性能上都超过了树莓派自己的NVMe HAT+，并计划在今年推向市场。
DDR5内存模块采用了新的芯片技术，可在目标功耗范围内提供更高水平的内存性能。Rambus是一家成熟的模组内存接口芯片量产供应商，能够随时为DDR5内存模组制造商提供关键的PMIC组件。

　　OCP9227针对需要高度集成解决方案的应用。可以断开来自直流电源的负载，由一个慢速控制的低阻抗MOSFET开关(35mΩ典型)和集成的模拟功能组成。输出上升速率控制的导通特性防止了浪涌电流和由此导致电源的过度电压降。同时具有过压保护和过温保护。
罗姆芯片　　EL336x 模拟量端子模块是倍福现有称重模块产品系列中的新品，其性能优于 EL3351，相较 EL3356 功能更加丰富。ELM350x 系列 EtherCAT 测量端子模块支持可自由调节的滤波器、四分之一/半桥以及更高的采样速率（支持 TwinCAT 3 Weighing 功能库），适合用于测量精度要求更高的极严苛的动态应用场景。
　　凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。