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　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。
瑞萨代理AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server)系列，可依应用需求搭配多种加速卡，弹性且多样性的搭配组合能符合智能制造应用的多种变化，包含GPU 卡、运动控制卡、IO卡、影像撷取卡等，并搭配防尘功能及短机箱设计，适合工厂和自动化环境。
　　CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果，旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统，这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量，同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。

对于要求严苛的应用，ECD1000A 根据 MIL-STD-810H 标准进行了机械加固，产品设计可承受 20G 冲击，内部板和组件均采用保形涂层进行保护。” “该产品经过电气加固，可承受恶劣的瞬变，并符合 MIL-STD-461E CE102/RE102、MIL-STD 1399-300A 和 MIL-STD-810H 的 EMC 性能要求。
　　此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT（Si）的J3系列紧凑型模块，作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品，这两种模块使用相同的封装，使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
瑞萨代理　　随着汽车原始设备制造商不断增加和优化车道偏离警告、防撞和自适应巡航控制等ADAS功能，汽车的物料清单（BOM）也在不断增加。电动汽车（EV）、混合动力汽车和传统油车皆是如此。与此同时，汽车制造商也在努力提高自动驾驶功能，而这意味着需要更多更复杂的电子元器件。管理所有这些新型电子子系统的电子控制单元（ECU）尤其容易受到静电放电损害，因为对于安全关键ADAS和自动驾驶功能而言，即便是极其短暂的中断也是不可接受的。
　　SC038HGS采用思特威自主创新的SmartGS-2 Plus技术，基于全局快门(GS)技术和背照式像素结构(BSI)设计，带来更佳的量子效率(QE)和更高的满阱电子(FWC)，且采用High Density MIM(HD MIM)工艺，大幅降低了随机噪声，改善图像质量。
　　SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术，为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护，大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。

　　针对硅阳极锂离子电池的特点，希荻微推出了HL7603，一款专为硅阳极锂离子电池设计的DC-DC芯片，大幅提高电池的电量输出和提高电池续航能力。HL7603的诞生，极大的推动硅阳极电池在移动设备上的普及应用，满足AI手机对电池管理的高效需求。
瑞萨代理每个APU在单一系统中结合了高性能AMD CPU、GPU和HBM3内存，提供912个AMD CDNA? 3 GPU计算单元、96个“Zen 4”核心和512GB的统一架构HBM3内存。
　　它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、短路/过流保护（DESAT）和负温度系数 （NTC）。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。
该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。