st芯片型号

　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
st芯片型号　　AC7801x是杰发科技基于Arm Cortex-M0+内核推出的车规级MCU，出货量超三千万颗，通过ISO 26262 ASIL B产品。AC7801x拥有128KB Flash，20KB RAM，1路CAN-FD/ CAN，提供QFN32和LQFP48两种封装。
　　日前发布的 Vishay Semiconductors 器件将数控输入 LED 驱动器与高速红外发射器（ IRED ）、集成式光敏二极管 IC 检测器结合在小型 SOIC-8 封装中。光耦数字输入和输出不需要增加驱动级和限流电阻，从而降低系统成本，微控制器直接连接有效帮助简化设计。

若有芯片公司对此一芯片的进入量产有兴趣，Andes 晶心科技亦可考虑以特殊商务授权模式，让芯片公司有机会取得授权，将QiLai芯片带进量产。
　　与此同时，全新SARA-R10系列还为u-blox广受欢迎的SARA封装提供了与LEXI-R10全球版模块相同的功能。随着2G和3G通信技术在全球范围内逐步停用，SARA-R10为使用u-blox SARA 2G和3G模块的产品设计人员提供了一条直接的升级途径，让他们可以轻松升级到目前及未来许多年广泛应用的全球蜂窝通信标准4G LTE。
st芯片型号　　ROM-2860采用超紧凑OSM Size-L尺寸（45 x 45 mm），在同尺寸核心板中以其出色的性能脱颖而出。搭载6.9W TDP的高通八核QCS6490处理器，其性能优于传统的核心模块，并以其微小体积满足如HMI和嵌入式机器视觉等各种工业和便携式应用。值得注意的是，QCS6490的性能比中端x86处理器高出近20%，同时功耗显着降低43-75%。
　　大模型已经成为驱动数字经济深度创新、引领企业业务变革、加速形成新质生产力的重要动能，随着大模型参数量和数据量的极速膨胀，多源异构数据的传、用、管、存，正在成为制约生成式AI落地的瓶颈之一，用户亟需构建更加高效的存储底座。
　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。

共同宣布，连手开发的新一代彩色电子纸时序控制芯片（ePaper Timing Controller） T2000，以更快的速度、更少的电力驱动画面更新，支持元太科技全系列彩色电子纸技术平台，瞄准阅读、广告广告牌与其他电子纸平台应用市场。
st芯片型号　　针对 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列： V-COLOR DDR5 OC R-DIMM 系列确保与 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列处理器精心设计，能提供卓越的兼容性和增强性能。
　　Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。
　　这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，地提高了可靠性。