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四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
altera新型汽车级IHDF边绕通孔电感器—IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。
　　CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压（VGS(th)，典型值为4.3 V）与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。

　　嵌入式硬件 SolidRun 宣布发布围绕 Hailo-15 神经处理单元 (NPU) 构建的模块系统 (SOM)，每秒可实现高达 20 TOPS算力，以支持边缘人工智能 ( 边缘人工智能）和设备上机器学习工作负载。
　　Microchip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC产品可提供的系统成本、快的上市时间和的风险。Microchip 的 mSiC 产品包括具有标准、修改和定制选项的 SiC MOSFET、二极管和栅极驱动器。如需了解有关Microchip SiC产品组合的更多信息，请点击此处。
altera　　TDK AVRH系列的两款新型压敏电阻均符合汽车级AEC-Q200标准，且在静电放电试验中均达到了IEC 61000-4-2标准项下的25 kV抗扰要求。两款产品的工作温度范围为-55 °C到+150 °C，不仅满足耐静电放电要求，并且将空间需求降到了，顺应汽车原始设备制造商（OME）的小型化趋势。
强大的片上通信接口包括多个QSPI、UART、CAN 2.0B和I2C串行高速接口，以及一个用于连接音频编解码器的I2S端口。所有接口都支持外设和存储器之间高效的DMA驱动传输，12输入（8个外部）、12位SAR ADC以高达每秒采样百万次 (1 Msps) 的速度对模拟数据进行采样。
　　TSB952的电源电压范围是4.5V-36V，具有很高的设计灵活性，可使用包括行业标准电压轨在内的多种电源。此外，宽压电源有助于系统承受较大的瞬态峰压和电压降。新运算放大器还具有轨到轨输出压摆，可满足应用设计的宽动态范围要求，例如，电源信号调理。

　　PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置，扩大接地焊盘面积，提供更有效的散热路径，有助于降低工作温度。同时，PowerPAK 1212-F减小了开关区范围，有助于降低迹线噪声的影响。另外，PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍，从0.36mm2提高到4.13 mm2，从而改进热性能。
altera它的工作温度范围宽达 -20 至 60°C，并符合重工业 IEC 标准，可确保在工业环境中保持稳定的性能。这款结构紧凑但功能强大的 AI 系统能以较低的功耗实现较高的 AI 计算能力，是自主移动机器人、行李安检、缺陷检测和工人安全监控等 AI 应用的理想之选。为了简化 AI 模型的转换和部署，AIR-150 提供了易于使用的软件，以加快人工智能的开发。
全新NORA-W4模块。NORA-W4全面融合了多种无线技术（Wi-Fi 6，蓝牙LE 5.3、Thread和Zigbee），采用紧凑型封装(10.4 x 14.3 x 1.9 mm)并且价格经济实惠，是智能家居、资产追踪、医疗保健和工业自动化等IoT应用的理想之选。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。