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　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
安森美代理商新产品包括直流-直流转换器的MGN1系列，它们专为桥式电路中GaN的“高压侧”和“低压侧”栅极驱动电路供电。选择输出电压允许的1驱动水平，从而达到的系统效率。MGN1系列具有超低隔离电容和250V增强绝缘，能够满足高开关速度GaN应用中常见的高dv/dt要求。
我们很高兴能推出采用 WLCSP 封装的 nRF7002。在 nRF7002 系列中加入该封装，为我们的客户提供了一个多功能的紧凑型解决方案，以满足对更小、更省电的物联网设备日益增长的需求。

TE Connectivity HDC浮动式充电连接器，并提供多种选项，包括公母插入件、公母电源触点以及公母信号触点。这些重载连接器符合RoHS指令，非常适合仓库自动化应用以及AGV和AMR应用对机械化自供电货物运输的需求。
　　GB02系列连接器（间距2.0 mm）则采用了双排带锁定机制，不仅在装配过程中实现了低插入力，还提供了出色的抵抗振动和撬动的能力，确保了稳定的接触性能。连接器外壳和插头的完全对齐设计，提高了精准度，使得安装过程更为简便快捷。
安森美代理商　　该产品系列包括三个系列，提供各种开关拓扑结构。PXI模块40-121系列提供两种SPST通用开关配置(13或26个)或2:1(8或16组)多路复用开关。PXI模块40-590系列和PXIe模块42-590系列，提供两款矩阵开关(8×4或16×4)。LXI模块65-290系列，基于Pickering公司的2U LXI模块化机箱(型号65-200)设计，多可容纳6个8×16或16×16矩阵开关模块。模块从机箱的前部推入，便于后期扩展和维护。
基于盘控协同架构，网络数据直通NVMe SSD，进一步提升单盘带宽；在数据归档与管理阶段，AS13000G7-N提供了多元异构存储的统一纳管能力，保障数据资产高效存储与管理，大幅提升存储资源的利用率且化数据基础设施投资回报比。
　　V-COLOR针对 AMD WRX90 和WRX90系列推出的 DDR5 OC R-DIMM 提供丰富的性能和容量选择，范围从 128GB（16GBx8）至 768GB（96GBx8）的超大容量。以目前容量可选择 5600 至8000 的速度，用户能够轻松应对挑战性的任务。这个内存系列采用了创新的散热技术 RCD 和 PMIC，提升了冷却效能，确保即使在繁重的工作负载下也能实现的散热效果。

第七代5G调制解调器到天线解决方案——骁龙X80 5G调制解调器及射频系统，持续引领创新步伐。骁龙X80集成专用5G AI处理器和5G Advanced-ready架构，实现了多项全球首创的里程碑，包括首次在5G调制解调器中集成NB-NTN卫星通信、首次面向智能手机支持6Rx、下行六载波聚合以及首次面向固定无线接入客户端设备（CPE）支持由AI赋能的毫米波增程通信。
安森美代理商“我们不想强迫任何人使用我们的物联网基础设施——你可以自己完成所有这些工作，如果这是一个业余爱好者项目，并且体验的一部分是学习和挑战自己，那就太好了。如果用户想自己动手做所有事情，我们欢迎他们，他们可以卸载 Particle 服务。我们希望提供出色的产品体验，然后向用户证明我们是一个的技术合作伙伴，拥有他们可以信赖的基础设施。”
在电机控制逆变器方面，开发人员正在使用 GaN 来减少热量，获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD ICeGaN 功率 IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的选择。
　　LXI型号65-200平台还允许用户加载预设置的测试序列，并通过软件或硬件触发器对它们进行控制，与标准的软件驱动程序控制方式相比，节约了测试时间。这些测试序列存储在本地LXI控制器上，减轻了主机CPU和以太网流量的负担，限度地降低了整体系统延迟。这些功能将优化半导体测试的体验，因为在半导体测试中，每个被测设备可能需要测试数千次。