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　　Vishay 推出新型 25 MBd 高速光耦，器件配有 CMOS 逻辑电路数字输入输出接口，便于数字系统集成。单通道 VOIH72A 适于各种工业应用，脉宽失真值低至 6 ns，供电电流仅为 2 mA，电压范围 2.7 V 至 5.5 V，工作温度高达 +110 °C。
德州仪器中国　　此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
　　GM12071是一款CMOS、低压差（LDO）线性稳压器，采用 1.9V 至 20V 电源供电，输出电流为500 mA。这款高输入电压 LDO 适用于调节 1.2V至20V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该稳压器采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流，仅需一个 2.2μF 小型陶瓷输出电容，便可实现出色的线路与负载瞬态响应性能。GM12071稳压器输出噪声为 8.5μVRMS，与固定输出电压选项无关。

　　HL990x系列的主要特点是内部集成快恢复超结功率MOSFET，能够有效地减少电磁干扰(EMI)和开关损耗，具有的工作效率。内部集成高速高压集成电路(HVIC)不再需要多个驱动电源。该HVIC无缝地将逻辑信号转换为高压、大电流驱动信号，完全匹配内部功率MOSFE，无需额外的开销和考虑，对于简化系统设计，提高性能具有重大的意义。
物联网硬件安全是开发者在开发可信设备时追求的永恒目标。难点在于为MCU嵌入式硬件带来高安全性，实现MPU级别的处理性能，同时保证出色的成本效益，这三个标准在市场上通常无法同时满足。新的STM32H7 MCU似乎正是具备这一特质，把安全功能放在首位和中心位置，能够满足消费电子和工业领域多应用对隐私安全的迫切要求。
德州仪器中国针对表面温度测量应用推出新的 T850 NTC 传感器 (B57850T0103F)。该传感器能与测量表面实现出色的热耦合，结合了高耐湿性和快速响应的特点，并且适合恶劣工况应用，温度范围 为-40℃ 至+150℃，防水时间长达 500 小时。此外，传感器采用氧化铝陶瓷表面，耐电压高达 2500 V AC（60 秒）。
此外还消除了检测电阻损耗，进一步提高效率。通过内置的相电流(IPH)信息实时报告功能，可实现的电机控制。通过对门极开关驱动信号的控制以及使用具有软恢复特性的体二极管，其典型的EMI特性表现比现有驱动器低10dB，因此可以选用更小的EMI滤波器。
　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。

英飞凌还推出了EVAL_eFuse_PoC_400V_S7概念验证板，展示了汽车电子保险丝的稳健性和多功能性，以及保护汽车电气系统的可靠方法，具有可互换的功率级，能够适应不同电压等级和冷却方式的各种工作条件。
德州仪器中国　　这款显卡拥有539亿个晶体管、80个CU单元和16GB GDDR6显存，可在设置下轻松渲染当下和未来的游戏，且搭载了的RDNA3架构、先进的人工智能（AI）技术和光线追踪加速器,支持1440p和4K精细画面。
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关（ZVS）拓扑结合在一起，确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此，在对流冷却情况下功率可高达300W，传导冷却情况下可达到400W，从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。
　　TXGA Micro Match连接器，触点采用弹性结构设计，间距仅1.27mm。产品外形小巧，使用便捷，同时具备出色的抗振动耐摩擦性能，可为工业现场的信号传输提供可靠支持。