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　　为了应对这些挑战，Allegro 推出两款高带宽电流传感器产品ACS37030 和 ACS37032，经优化设计可提供高效率和高性能，同时减少设计时间和电路板占用空间。它们采用双信号路径方法，其中一条路径使用霍尔效应组件捕获低频直流电流，另一条路径则通过电感线圈捕获高频电流数据。
on芯片　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
　　Taoglas 将一根天线嵌入另一根天线内，以使用 35 x 35 x 4 毫米的表面贴装设备覆盖 GNSS L1 和 L5，该设备针对 70 x 70 毫米接地平面的使用进行了优化。

　　系统层面，神行Plus电池在第三代无模组技术CTP3.0的基础上进行拓扑结构优化，充分利用能量仓空间，体积成组效率提升7%。凭借材料及结构的双重突破，神行电池系统能量密度首度突破200Wh/kg大关，达到205Wh/kg，让整车续航超过1000km成为可能。
潜在客户已经领略了我们的无线微控制器STM32WBA增强的无线通信性能、灵活性和安全性。他们正在用这个芯片开发各种产品，包括智能恒温器、跟踪设备、智能充电器、耳机、电动工具、智能表计。我们巨大的软件生态系统提供通信协议栈、微控制器专用软件包、示例代码和开发工具，帮助开发者快速高效地推出基于这些MCU的新产品。
on芯片　　Wi-Fi 7是继Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E之后的Wi-Fi技术，其速度可达每秒30Gbps，约为Wi-Fi 6性能的三倍。这一技术在高带宽流媒体传输和低延迟无线游戏方面的性能超越了现有标准，为用户带来更快、更稳定、更智能的无线网络体验。被预测将在2024年迎来大规模普及，这对整个产业来说无疑是一大利好。
推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
　　四维图新旗下杰发科技车规级MCU芯片AC7801x功能安全产品落地，成功应用于开步电子CB350系列电流传感器，该产品已通过ISO 26262 ASIL C级功能安全产品。这是AC7801x芯片在新能源汽车上的又突破性应用，证明了杰发科技在汽车电子领域的技术实力和创新能力。

即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
on芯片基于强大性能，Reno12 系列可支持荣耀 120 帧高清画质下的持久流畅，并支持逆水寒手游 ProXDR 光影显示，为手游带来 HDR 的全新视觉体验。
SC130HS是思特威首颗基于SmartClarity-XL工艺平台打造的手机图像传感器。新品SC130HS采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载了SFCPixel、PixGain HDR等思特威先进成像技术和工艺，凭借高动态范围、高帧率、低噪声、低功耗等性能优势，可为高端智能手机前摄以及主流智能手机主摄带来出众的质感影像表现。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。